第三代半导体材料具备宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2ev），也称为高温半导体材料。第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表。

　　随着5G、新能源汽车等市场发展，第三代半导体的需求规模保持快速地增长。同时，中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2021年在国内大半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产业实现逆势增长。2021年，SiC、GaN电力电子产值规模达到58亿元，同比增长29.6%。GaN微波射频产值达到69亿元，同比增长13.5%。2010-2021年，中国第三代半导体专利申请数量处于领头羊；截至2021年12月16日，我国第三代半导体专利申请数量为1582件。

　　区域方面，我国第三代半导体初步形成了京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等五大重点发展区域。从代表性企业分布情况去看，江苏省第三代半导体代表性企业分布最多，如苏州纳维、晶湛半导体、英诺赛科等。同时广东、山东代表性企业也有较多代表性企业分布。从专利数量看，截至2021年12月16日，江苏省为中国当前申请第三代半导体专利数量最多的省份，累计当前第三代半导体专利申请数量高达2860项。北京、山东、广东、陕西和浙江当前申请第三代半导体专利数量均超过1000项。中国当前申请省（市、自治区）第三代半导体专利数量排名前十的省份还有河南省、上海市、湖南省和安徽省。

　　2021年3月12日，《中华人民共和国国民经济与社会持续健康发展第十四个五年规划和2035年远大目标纲要》全文正式对外发布。在事关国家安全和发展全局的基础核心领域，《纲要》提到制定实施战略性科学计划和科学工程。其中，集成电路攻关方面，《纲要》重点强调推进集成电路设计工具、中电装备和高纯靶材等关键材料研发、集成电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、微机电系统（MEMS）等特色工艺突破，先进存储技术升级，碳化硅、氮化镓等矿禁带半导体发展。2021年6月，《长三角G60科创走廊建设方案》提出在重点领域培育一批具有国际竞争力的有突出贡献的公司，加快布局量子信息、类脑芯片、第三代半导体、基因编辑等一批未来企业。2022年1月4日，工业与信息化部、住房和城乡建设部、交通运输部、农业农村部和国家能源局联合印发《智能光伏产业创新发展行动计划（2021-2025年）》。计划特别指出要开发基于宽禁带材料及功率器件、芯片的逆变器。

　　我国第三代半导体技术和产业都取得较好进展，但在材料指标、器件性能等方面与国外领先水平仍存在一定差距，市场继续被国际巨头占据，国产化需求迫切。我国第三代半导体创新发展的时机已成熟，处于重要窗口期。

　　产业研究院发布的《2024-2028年中国未来产业之第三代半导体行业趋势预测及投资机会研究报告》共十二章。首先介绍了第三代半导体行业的总体概况及全球行业发展形势，接着分析了中国第三代半导体行业发展环境、市场总体发展状况以及全国重要区域发展状况。然后分别对第三代半导体产业的产业链相关行业、行业重点企业的经营状况及行业项目案例投资进行了详尽的透析。最后，报告对第三代半导体行业进行了投资分析并对行业未来发展前途进行了科学的预测。

　　本研究报告数据大多数来源于于国家统计局、商务部、工信部、中国海关总署、半导体行业协会、产业研究院、产业研究院市场调研中心以及国内外重点刊物等渠道，数据权威、详实、丰富，同时通过专业的分析预测模型，对行业核心发展指标进行科学地预测。您或贵单位若想对第三代半导体产业有个系统深入的了解、或者想投资第三代半导体产业，本报告将是您不可或缺的重要参考工具。

　　第五章2022-2024年第三代半导体氮化镓（GAN）材料及器件发展分析

　　第六章2022-2024年第三代半导体碳化硅（SIC）材料及器件发展分析

　　二、2024-2028年中国第三代半导体产业电子电力和射频电子总产值预测

　　附录二：关于促进中关村顺义园第三代半导体等前沿半导体产业创新发展的若干措施

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